Q2MEM-1MBS和Q2MEM-2MBS更換用電池。主站/本地站共用。
對應(yīng)CC-Link Ver2。
CC-Link保持循環(huán)傳輸?shù)囊恢滦裕?br/> 并將循環(huán)傳輸與信息（瞬時傳輸）通信分開，從而保證了準(zhǔn)時性。
即使信息通信達(dá)到飽和，也不會影響鏈接掃描時間。
QJ61BT11N模塊支持CC-Link 版本1和版本2，可用作本地站或主站模塊Q06UDEHCPU
在I/O控制中性價比一流的開放式現(xiàn)場網(wǎng)絡(luò)模塊。
CC-Link以可靠的現(xiàn)場總線技術(shù)為基礎(chǔ)，
能夠高速傳輸大量的位數(shù)據(jù)（例如ON/OFF信息等）和字?jǐn)?shù)據(jù)（例如模擬量信息等）。連接讀寫1ch。
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過可編程控制器指令讀寫ID標(biāo)簽數(shù)據(jù)的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個天線，還可同時進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標(biāo)簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動化ID系統(tǒng)。
ID標(biāo)簽具有多種尺寸和存儲容量。輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出元件數(shù)：8192點。
程序容量：30 k步。
處理速度：34ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。8通道。
輸入：DC-10~10mA；0~20mA。
輸出（分辨率）：0~4000；-4000~4000；0~12000；-12000~12000；0~16000；-16000~16000。
轉(zhuǎn)換速度：10ms/通道。
40針連接器。
通道之間隔離。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實現(xiàn)高隔離電壓的同時，
進(jìn)一步提高了基準(zhǔn)精度。
為使用通用可編程控制器進(jìn)行過程控制提供支持。
流量計、壓力表、其它傳感器等可直接連連接至模擬量輸入，
控制閥也可直接連接至模擬量輸出。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以大大幅降低。
高絕緣強(qiáng)度耐壓 。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標(biāo)準(zhǔn)型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時。