更換用電池。
初始電壓3.0V。
大容量電池帶底座。
電流容量：5000mAh。
使用壽命：5年。I/O槽用的空蓋板。連接讀寫2ch。
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過可編程控制器指令讀寫ID標(biāo)簽數(shù)據(jù)的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容QJ71GP21-SX
可連接2個(gè)天線，還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標(biāo)簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動(dòng)化ID系統(tǒng)。
ID標(biāo)簽具有多種尺寸和存儲容量。2軸，差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
2軸直線插補(bǔ)。
2軸弧線插補(bǔ)。
控制單位：mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù)：600個(gè)數(shù)據(jù)/軸。
最大脈沖輸出：1Mpps。
40針連接器。
定位模塊。
開路集電極輸出型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
也可滿足高速、高精度控制需求。
最適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時(shí)，實(shí)現(xiàn)了最大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可全面地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。
根據(jù)用途分為開路集電極輸出型和差分驅(qū)動(dòng)器輸出型 2 種類型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 最高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器，
傳輸距離可達(dá) 10 米，實(shí)現(xiàn)高速高精度的控制。
（開路集電極型定位模塊的指令脈沖最高為200kpps。）分辨率262144PLS/res。
允許轉(zhuǎn)速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向最大為19.6N，軸向最大為9.8N。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。